拓扑半金属能应用在芯片领域，被誉为最有可能成为下一代芯片原材料，一直被学术圈鼓吹。
身为拓扑半金属领域的专家，从了解这一领域到现在从事该领域的研究工作，赖佳晨数了数大致有十个年头，这十年里，他没少听到类似言论。
但梦想很美好，现实很残酷，研究人员一直到今年才搞出拓扑半金属的薄膜，从实验室到工业化，不知道还要多少年。
因此在他看来，这玩意应用在芯片领域，多少和可控核聚变一样，二十年前说还要五十年，二十年后还是说需要五十年。
中间不知道有多少坑等着人们去踩呢。
而现在他看到的事实是，拓扑半金属应用在芯片领域最大的问题解决了，光敏感性和稳定性之间的矛盾，这个问题解决意味着原本它的进度是不可预测的，你没办法估算要多久能做出来。
而现在制定计划表都行，按照计划表都能把它给整出来。
赖佳晨从对方口里得到了他想要的答案后，内心感慨道：人和人果然是不一样的，对于外界来说难以解决的问题，对天才来说不过是随手可得。
常温导现后，陈元光接受完央妈专访后就神隐了，之前虽说抛头露面也不多，但是多少还是会参加一些活动。
而这次包括光甲科技的人体冬眠中心开幕，常温导体对外开放，光甲航天新型可回收火箭射，华国复眼竣工验收等等一系列的重要节点，陈元光一次都没出席。
外网说陈元光被软禁起来了，国内则是结合约瑟夫被刺杀，说他被保护起来。
赖佳晨作为申海交大教授，有自己的消息来源，他知道陈元光这段时间一直待在华国西部，只是不知道是蜀都还是哪。
这次在看到拓扑半金属之后，他的第一反应就是，这玩意除了陈元光之外没人能搞出来，他问过之后，对方一直闭口不谈。
现在猜想证实后，赖佳晨连酸的心态都没有，大家不是一个世界的人，压根酸不起来。
他联想起自己前不久看到的一篇bbc报道，里面把陈元光誉为华国和阿美利肯两级之间的最大x因素。
他当时觉得这个说法夸张了，现在觉得这说法还是有点保守了。
“所以说，拓扑半金属当作原材料能让芯片有更强的算力？”在和赵普见完后，林甲问，她还是不太懂。
陈元光解释道：“原本我们把芯片的面积固定，比如说是一平方厘米，然后我们要在这一平方厘米的面积上放尽可能多的晶体管，7n是指晶体管的大小是7n，而不是指芯片的大小。
晶体管越小，同等面积下芯片的晶体管数量也就越多，芯片算力和晶体管数量挂钩。
而现在我们用新材料作为芯片的原材料，我们不用拘泥于一平方厘米，我们可以在4平方厘米，甚至16平方厘米的面积上去放晶体管，我们虽说单个晶体管的体积更大，但是我们能放晶体管的面积也更大了。
也就是说我们用28制程制作出来的芯片，晶体管数量和5n制程制作出来的芯片数据一样，因为我们的基底更大了。
原本华国的思路是去追赶国外的技术，别人在3n，我们现在连28n都还没搞定，差距非常大，但是因为3n可以说是工艺极限了。
因为硅基材料的晶格结构和物理特性限制了芯片制程的进一步缩小，硅基材料在3n几乎已经达到了极限，现在3n都难以保证良品率。
在这个制程上，三星已经掉队，唯一还能维持良品率的是台积电。
如果继续沿着光刻机去追赶，需要整个上下游供应商的共同进步，这太难了。
而我们直接上新材料，可以在现有技术上，实现同等的算力。
甚至用国内asl的7n光刻机改造，用拓扑半金属制造硅片的话，芯片的算力能比3n表现更好，无限逼近1n。
这就意味着他们的策略彻底失败，我们的芯片算力比他们还更先进，那是谁卡谁脖子呢？
而你把3n工艺给我们用，我们一起突破现在的桎梏，把芯片给它拉满，或者大家一起卡在1n。
这是一件合则两利的事情。”